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文献
J-GLOBAL ID：200902086403921290
整理番号：88A0101970
連続レーザの変調励起を用いた有機金属分解気相成長法によるGaAsの原子層状成長
Atomic-layer growth of GaAs by modulated-continuous-wave laser metal-organic vapor-phase epitaxy.
AOYAGI Y
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
,
DOI A
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
,
IWAI S
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
,
NAMBA S
(Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 5 号： 5 ページ： 1460-1464 発行年： 1987年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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