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文献
J-GLOBAL ID：200902086789991050
整理番号：85A0230511
エキシマレーザによるSi基板の窒化増強
Excimer laser enhanced nitridation of silicon substrates.
SUGII T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
ITO T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
ISHIKAWA H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 45 号： 9 ページ： 966-968 発行年： 1984年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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