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文献
J-GLOBAL ID：200902087602725537
整理番号：93A0049650
NH4OH/H2O2混合におけるSi表面粗さとゲート酸化膜の完全性の関係
The Relationship of the Silicon Surface Roughness and Gate Oxide Integrity in NH4OH/H2O2 Mixtures.
MEURIS M
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
VERHAVERBEKE S
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
MERTENS P W
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
HEYNS M M
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
HELLEMANS L
(Katholieke Univ. Leuven, Heverlee, BEL)
,
BRUYNSERAEDE Y
(Katholieke Univ. Leuven, Heverlee, BEL)
,
PHILIPOSSIAN A
(Digital Equipment Corp., MA, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 31 号： 11A ページ： L1514-L1517 発行年： 1992年11月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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