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文献
J-GLOBAL ID：200902088214979604
整理番号：91A0199459
トレンチゲート-チャネル絶縁をもつ一次元横電界効果トランジスタ
One-dimensional lateral-field-effect transistor with trench gate-channel insulation.
NIEDER J
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
WIECK A D
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
GRAMBOW P
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
LAGE H
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
HEITMANN D
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
KLITZING K V
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
PLOOG K
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 57 号： 25 ページ： 2695-2697 発行年： 1990年12月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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