文献
J-GLOBAL ID:200902088226609071
整理番号:86A0460454
N型〈100〉シリコンウエハ上の表面スタッキング欠陥の低減
Reduction of surface stacking faults on N-type 〈100〉 silicon wafers.
著者 (3件):
KOOB P W
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
FRAUNDORF G K
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
CRAVEN R A
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
133
号:
4
ページ:
806-810
発行年:
1986年04月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)