文献
J-GLOBAL ID:200902088462343678
整理番号:86A0473024
高抵抗ゲート構造を有するGaAs電荷結合素子の放射線照射効果
Radiation effects on GaAs charge coupled devices with high resistivity gate structures.
著者 (2件):
BELLEM R D
(Air Force Wright Aeronautical Lab., OH)
,
JENKINS W C
(Naval Research Lab., Washington DC)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
33
号:
4
ページ:
1084-1089
発行年:
1986年08月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)