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文献
J-GLOBAL ID：200902088596873037
整理番号：92A0271557
完全に空乏化したsilicon-on-insulator・MOSFETの相互コンダクタンスに対する直列抵抗と界面結合の影響
Influence of series resistances and interface coupling on the transconductance of fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs.
OUISSE T
(Thomson-TMS, Saint-Egr<span style=text-decoration:overline>e`</span>ve, FRA)
,
CRISTOLOVEANU S
(ENSERG, Grenoble, FRA)
,
BOREL G
(Thomson-TMS, Saint-Egr<span style=text-decoration:overline>e`</span>ve, FRA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 35 号： 2 ページ： 141-149 発行年： 1992年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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