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文献
J-GLOBAL ID：200902088963323553
整理番号：86A0485148
低温反応性rfスパッタリングにより成長したAlN薄膜の特性
On the properties of AlN thin films grown by low temperature reactive r.f. sputtering.
LI X
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
XU Z
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
HE Z
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
CAO H
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
SU W
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
CHEN Z
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
ZHOU F
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
,
WANG E
(Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 139 号： 3 ページ： 261-274 発行年： 1986年06月02日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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