文献
J-GLOBAL ID:200902089399172082
整理番号:90A0806062
MBE成長中の隣接したGaAs(001)とAlxGa1-xAs(001)表面の再構成と欠陥の構造
Reconstruction and defect structure of vicinal GaAs(001) and ALxGa1-xAs(001) surfaces during MBE growth.
著者 (2件):
DAEWERITZ L
(Central Inst. Electron Physics, Academy of Sciences of the German Democratic Republic, Berlin, DDR)
,
HEY R
(Central Inst. Electron Physics, Academy of Sciences of the German Democratic Republic, Berlin, DDR)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
236
号:
1/2
ページ:
15-22
発行年:
1990年10月
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)