文献
J-GLOBAL ID:200902089517458999
整理番号:81A0213093
Ga1-xAlxSbアバランシェ光ダイオード 非常に高率のイオン化係数の共鳴衝突イオン化
Ga1-xAlxSb avalanche photodiodes: resonant impact ionization with very high ratio of ionization coefficients.
著者 (4件):
HILDEBRAND O
(Univ. Stuttgart, Germany)
,
KUEBART W
(Univ. Stuttgart, Germany)
,
BENZ K W
(Univ. Stuttgart, Germany)
,
PILKUHN M H
(Univ. Stuttgart, Germany)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
17
号:
2
ページ:
284-288
発行年:
1981年02月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)