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J-GLOBAL ID：200902089575185951 整理番号：88A0449809

マイグレーション・エンハンスト・エピタキシによるSi(100)面上へのGaAsの成長

Strain-released heteroepitaxy of GaAs on (100)Si by migration enhanced epitaxy.

著者 (4件)：

STOLZ W

(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)

HORIKOSHI Y

(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)

NAGANUMA M

(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)

NOZAWA K

(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 88 号： 62 ページ： 1-8(CPM88-1) 発行年： 1988年05月27日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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