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文献
J-GLOBAL ID：200902089760540989
整理番号：87A0330554
真性直列抵抗のMOSFETのスケーリングへの影響
The impact of intrinsic series resistance on MOSFET scaling.
NG K K
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
LYNCH W T
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 34 号： 3 ページ： 503-511 発行年： 1987年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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