文献
J-GLOBAL ID:200902089864238869
整理番号:89A0401362
高周波スパッタで作製した酸化インジウムすず膜の成長と性質に及ぼすターゲット-基板間距離の効果
Effect of target-substrate distance on the growth and properties of rf-sputtered indium tin oxide films.
著者 (2件):
VASANT KUMAR C V R
(Univ. Delhi, Delhi, IND)
,
MANSINGH A
(Univ. Delhi, Delhi, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
65
号:
3
ページ:
1270-1280
発行年:
1989年02月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)