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文献
J-GLOBAL ID：200902090006830634
整理番号：88A0089996
低温におけるSiC単結晶のステップ制御VPE成長
Step-controlled VPE growth of SiC single crystals at low temperatures.
KURODA N
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SHIBAHARA K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
YOO W
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NISHINO S
(Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987
(Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987)
ページ： 227-230 発行年： 1987年
JST資料番号： K19870562 ISBN： 4-930813-21-2 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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