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文献
J-GLOBAL ID：200902090660400126
整理番号：83A0221143
金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体(MONOS)構造の低電圧変更可能EEPROM
A low-voltage alterable EEPROM with metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor (MONOS) structures.
SUZUKI E
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
HIRAISHI H
(Citizen Watch Co., Saitama)
,
ISHII K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
HAYASHI Y
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 30 号： 2 ページ： 122-128 発行年： 1983年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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