文献
J-GLOBAL ID:200902090916077654
整理番号:87A0375820
シリコンの二次元熱酸化 I 実験
Two-dimensional thermal oxidation of silicon. I Experiments.
著者 (4件):
KAO D-B
(Stanford Univ., CA, USA)
,
MCVITTIE J P
(Integrated Circuits Lab., CA, USA)
,
NIX W D
(Stanford Univ., CA, USA)
,
SARASWAT K C
(Integrated Circuits Lab., CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
34
号:
5 Pt.1
ページ:
1008-1017
発行年:
1987年05月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)