文献
J-GLOBAL ID:200902091500667807
整理番号:86A0470618
β-りょう面体晶ほう素に基づいた半導体素子の可能性
The possibility of creating β-rhombohedral boron-based semiconductor devices.
著者 (2件):
UMAROV B V
(Physical Technical Inst. Uzbek Academy of Science, U.S.S.R.)
,
TASHMIRSAEV M A
(Physical Technical Inst. Uzbek Academy of Science, U.S.S.R.)
資料名:
Journal of the Less-Common Metals
(Journal of the Less-Common Metals)
巻:
117
ページ:
199-202
発行年:
1986年03月
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0022-5088
CODEN:
JCOMA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)