文献
J-GLOBAL ID:200902091606708804
整理番号:87A0310467
45GHzの遮断周波数を有する新しい自己整合されたAlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造とモデリング
Fabrication and modeling of a novel self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor with a cutoff frequency of 45GHz.
著者 (4件):
MADIHIAN M
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
HONJO K
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
TOYOSHIMA H
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
KUMASHIRO S
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1986
ページ:
270-273
発行年:
1986年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)