文献
J-GLOBAL ID:200902091741824059
整理番号:86A0336621
GaAs基板面に成長させたGaAsySb1-yの格子不整合のヘテロエピタキシャル界面
Lattice-mismatched heteroepitaxial interface of GaAsySb1-y on GaAs substrates.
著者 (3件):
CHENG H
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
,
KOYANAGI T
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
,
MILNES A G
(Carnegie-Mellon Univ., Pennsylvania)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
4
号:
2
ページ:
528-531
発行年:
1986年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)