文献
J-GLOBAL ID:200902091866890100
整理番号:91A0307103
マグネトロンプラズマ増強化学蒸着による炭素含有低応力SiN薄膜の育成
Growth of low stress SiN films containing carbon by megnetron plasma enhanced chemical vapor deposition.
著者 (3件):
YASUI K
(Nagaoka Univ. Technology, Nagaoka, JPN)
,
KOMAKI K
(Nagaoka Univ. Technology, Nagaoka, JPN)
,
KANEDA S
(Nagaoka Univ. Technology, Nagaoka, JPN)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
127
号:
1
ページ:
1-7
発行年:
1991年01月
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)