文献
J-GLOBAL ID:200902091987706489
整理番号:88A0166455
GaAsにおけるフェムト秒のホットキャリアエネルギー緩和
Femtosecond hot-carrier energy relaxation in GaAs.
著者 (4件):
SCHOENLEIN R W
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
LIN W Z
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
IPPEN E P
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
FUJIMOTO J G
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
51
号:
18
ページ:
1442-1444
発行年:
1987年11月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)