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文献
J-GLOBAL ID：200902092302099565
整理番号：88A0606599
低温におけるSi上のγ-Al2O3膜の有機金属分子線エピタクシー
Metalorganic molecular beam epitaxy of γ-Al2O3 films on Si at low growth temperatures.
SAWADA K
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
,
ISHIDA M
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
,
NAKAMURA T
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
,
OHTAKE N
(Toyoko Kagaku Co., Ltd., Kawasaki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 52 号： 20 ページ： 1672-1674 発行年： 1988年05月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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