文献
J-GLOBAL ID:200902092314313449
整理番号:88A0094055
非晶質シリコン薄膜トランジスタにおける不安定機構のバイアス依存性
Bias dependence of instability mechanisms in amorphous silicon thin-film transistors.
著者 (4件):
POWELL M J
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
,
VAN BERKEL C
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
,
FRENCH I D
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
,
NICHOLLS D H
(Philips Research Lab., Surrey, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
51
号:
16
ページ:
1242-1244
発行年:
1987年10月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)