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文献
J-GLOBAL ID:200902092509749292   整理番号:89A0169316

完全空乏化SOI MOSFETの短チャネル効果

Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFET’s.
著者 (1件):
YOUNG K K
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 36  号:ページ: 399-402  発行年: 1989年02月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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