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文献
J-GLOBAL ID：200902092509749292
整理番号：89A0169316
完全空乏化SOI MOSFETの短チャネル効果
Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFET’s.
YOUNG K K
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36 号： 2 ページ： 399-402 発行年： 1989年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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