文献
J-GLOBAL ID:200902092532083200
整理番号:86A0092498
ドライ酸素中におけるシリコンの熱酸化 : 薄い領域での成長速度増大 I 実験結果
Thermal oxidation of silicon in dry oxygen : Growth-rate enhancement in the thin regime. I. Experimental results.
著者 (3件):
MASSOUD H Z
(Stanford Univ., California)
,
PLUMMER J D
(Stanford Univ., California)
,
IRENE E A
(IBM, New York)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
132
号:
11
ページ:
2685-2693
発行年:
1985年11月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)