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文献
J-GLOBAL ID：200902092788424110
整理番号：84A0081169
n-GaPでの電荷キャリア密度と移動度のRaman分光による決定
Determination of the charge carrier concentration and mobility in n-GaP by Raman spectroscopy.
IRMER G
(Bergakademie Freiberg, DDR)
,
TOPOROV V V
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst. Academy of Sciences of the USSR)
,
BAIRAMOV B H
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst. Academy of Sciences of the USSR)
,
MONECKE J
(Bergakademie Freiberg, DDR)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 119 号： 2 ページ： 595-603 発行年： 1983年10月
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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