文献
J-GLOBAL ID:200902093353810308
整理番号:91A0318032
ひ化ガリウムとシリコンにおける量子Hall抵抗の直接比較
Direct comparison of the quantized Hall resistance in gallium arsenide and silicon.
著者 (5件):
HARTLAND A
(National Physical Lab., Teddington, GBR)
,
JONES K
(National Physical Lab., Teddington, GBR)
,
WILLIAMS J M
(National Physical Lab., Teddington, GBR)
,
GALLAGHER B L
(Univ. Nottingham, GBR)
,
GALLOWAY T
(Univ. Nottingham, GBR)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
66
号:
8
ページ:
969-973
発行年:
1991年02月25日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)