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文献
J-GLOBAL ID：200902093596992501
整理番号：81A0129925
SiO2-MOS構造における照射で形成された界面状態を理解するためのわく組
A framework for understanding radiation-induced interface states in SiO2 MOS structures.
McLEAN F B
(U.S. Army Electronics Research and Development Command, Maryland)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 27 号： 6 ページ： 1651-1657 発行年： 1980年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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