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文献
J-GLOBAL ID：200902094201406460
整理番号：89A0383265
多重極プラズマ促進CVDにより作製した窒化けい素膜中の水素および酸素濃度
Hydrogen and oxygen content of silicon nitride films prepared by multipolar plasma-enhanced chemical vapor deposition.
BOHER P
(Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, Limeil-Brevannes, FRA)
,
RENAUD M
(Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, Limeil-Brevannes, FRA)
,
VAN IJZENDOORN L J
(Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
,
HILY Y
(Lab. Electronique et de Physique Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>e, Limeil-Brevannes, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 54 号： 6 ページ： 511-513 発行年： 1989年02月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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