文献
J-GLOBAL ID:200902094241623110
整理番号:90A0737710
Advanced 200nm gate profile fabrication with reactive ion etching.
著者 (4件):
HUEBNER H
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
PILZ W
(Fraunhofer-Inst. Mikrostrukturtechnik, Berlin, DEU)
,
BELLE G
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
FRANOSCH M
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
1185
ページ:
128-136
発行年:
1990年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)