文献
J-GLOBAL ID:200902094437792859
整理番号:86A0367241
シリコン単結晶における高エネルギーHeイオンの動的電荷状態
Dynamic charge states of energetic He ions in silicon single crystals.
著者 (3件):
SCHMIEDESKAMP B
(Univ. Bielefeld, Federal Republic of Germany)
,
ROOSENDAAL H E
(Univ. Bielefeld, Federal Republic of Germany)
,
LUTZ H O
(Univ. Bielefeld, Federal Republic of Germany)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
33
号:
7
ページ:
5118-5120
発行年:
1986年04月01日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)