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文献
J-GLOBAL ID：200902095107410107
整理番号：88A0101276
(001)Si基板上へのGaAs層の形成
Growth of GaAs layers on (001) Si substrates.
NARITSUKA S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NOZAKI C
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NISHIKAWA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YASUAMI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KOKUBUN Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987
(Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987)
ページ： 143-146 発行年： 1987年
JST資料番号： K19870562 ISBN： 4-930813-21-2 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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