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文献
J-GLOBAL ID：200902095489916439
整理番号：91A0950184
三ふっ化塩素によるシリコンのプラズマなしのエッチング
Plasmaless etching of silicon using chlorine trifluoride.
SAITO Y
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
,
YAMAOKA O
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
,
YOSHIDA A
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 9 号： 5 ページ： 2503-2506 発行年： 1991年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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