文献
J-GLOBAL ID:200902096047628015
整理番号:91A0331944
高純度,無転位の浮遊ゾーン・シリコンにおける成長誘起ミクロ欠陥による電荷キャリヤ再結合中心
Charge carrier recombination centers in high-purity, dislocation-free, float-zoned silicon due to growth-induced microdefects.
著者 (3件):
WANG T H
(Solar Energy Research Inst., Colorado, USA)
,
CISZEK T F
(Solar Energy Research Inst., Colorado, USA)
,
SCHUYLER T
(Solar Energy Research Inst., Colorado, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
109
号:
1/4
ページ:
155-161
発行年:
1991年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)