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文献
J-GLOBAL ID：200902096267550858
整理番号：89A0556288
シリコンの伝導帯端近傍の酸化膜トラップ密度を得るための1/f雑音技術
A 1/f noise technique to extract the oxide trap density near the conduction band edge of silicon.
JAYARAMAN R
(Massachusetts Inst. Technology, MA)
,
SODINI C G
(Massachusetts Inst. Technology, MA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36 号： 9 Pt.1 ページ： 1773-1782 発行年： 1989年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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