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文献
J-GLOBAL ID：200902096317511700
整理番号：91A0635727
ZnSe/GaAsヘテロ原子価界面 界面ミクロ構造と電気的特性
ZnSe/GaAs heterovalent interfaces:interface microstructure versus electrical properties.
QIU J
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
MENKE D R
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
KOBAYASHI M
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
GUNSHOR R L
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
QIAN Q-D
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
LI D
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
OTSUKA N
(Purdue Univ., Indiana, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 111 号： 1/4 ページ： 747-751 発行年： 1991年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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