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文献
J-GLOBAL ID：200902096835385867
整理番号：84A0273115
真空蒸着結晶化銅ドープゲルマニウム薄膜をもつp型薄膜トランジスタ
p-Type thin-film transistors with vacuum-deposited crystallized copper-doped germanium films.
FISCHER A G
(Univ. Dortmund, FRG)
,
TIZABI D J
(Univ. Dortmund, FRG)
,
BLANKE H
(Univ. Dortmund, FRG)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 4 号： 12 ページ： 447-448 発行年： 1983年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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