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文献
J-GLOBAL ID：200902097344253027
整理番号：87A0017320
p型GaAsでの照射誘起欠陥
Irradiation-induced defects in p-type GaAs.
STIEVENARD D
(Inst. Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieur d’Electronique du Nord, Lille, FRA)
,
BODDAERT X
(Inst. Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieur d’Electronique du Nord, Lille, FRA)
,
BOURGOIN J C
(Univ. Paris VII, Paris, FRA)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 34 号： 6 ページ： 4048-4058 発行年： 1986年09月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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