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文献
J-GLOBAL ID：200902098461695290
整理番号：89A0318918
熱アニールによる非晶質Ge1-xAlx薄膜の電気抵抗率と構造の変化
Electrical resistivity and structural changes in amorphous Ge1-xAlx thin films under thermal annealing.
CATALINA F
(C.S.I.C., Madrid, ESP)
,
AFONSO C N
(C.S.I.C., Madrid, ESP)
,
ORTIZ C
(IBM Research Lab., CA, USA)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 167 ページ： 57-65 発行年： 1988年12月15日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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