文献
J-GLOBAL ID:200902098577485650
整理番号:93A0078309
表面活性法による室温接合によるAl-AlおよびAl-Si3N4界面の構造
Structure of Al-Al and Al-Si3N4 interfaces bonded at room temperature by means of the surface activation method.
著者 (5件):
SUGA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
GIBBESCH B
(Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU)
,
ELSSNER G
(Max-Planck-Inst. Metallforschung, Stuttgart, DEU)
資料名:
Acta Metallurgica et Materialia
(Acta Metallurgica et Materialia)
巻:
40
号:
Suppl
ページ:
S133-S137
発行年:
1992年
JST資料番号:
A0316A
ISSN:
0956-7151
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)