文献
J-GLOBAL ID:200902098895637361
整理番号:86A0112439
急速熱アニールで活性化したBe打込みGaAsの電気的特性
Electrical characteristics of be-implanted GaAs activated by rapid thermal annealing.
著者 (2件):
MAEZAWA K
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
,
OE K
(Atsugi Electrical Communication Lab.)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
7
号:
1
ページ:
13-15
発行年:
1986年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)