文献
J-GLOBAL ID:200902099295966325
整理番号:91A0337866
64Mb DRAMの保持誘電体用UV-O3とドライO22段階アニール処理化学的気相成長によるTa2O5薄膜
UV-O3 and dry-O2: Two-step annealed chemical vapor-deposited Ta2O5 films for storage dielectrics of 64-Mb DRAM’s.
著者 (2件):
SHINRIKI H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKATA M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
38
号:
3
ページ:
455-462
発行年:
1991年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)