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文献
J-GLOBAL ID：200902099694488666
整理番号：90A0473645
へき開したGaAs上の高品質二次元電子ガスの形成
Formation of a high quality two-dimensional electron gas on cleaved GaAs.
PFEIFFER L
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
WEST K W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
STORMER H L
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
EISENSTEIN J P
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
BALDWIN K W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
GERSHONI D
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SPECTOR J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 56 号： 17 ページ： 1697-1699 発行年： 1990年04月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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