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文献
J-GLOBAL ID：200902100001001872
整理番号：96A0066296
エピタキシャルhcp Co/GaAs(001)薄膜の4重異方性と構造挙動
Fourfold anisotropy and structural behavior of epitaxial hcp Co/GaAs(001) thin films.
GU E
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
GESTER M
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HICKEN R J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
DABOO C
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
TSELEPI M
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
BLAND J A C
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
BROWN L M
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
THOMSON T
(Univ. St. Andrews, Fife, GBR)
,
RIEDI P C
(Univ. St. Andrews, Fife, GBR)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 52 号： 20 ページ： 14704-14708 発行年： 1995年11月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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