文献
J-GLOBAL ID:200902100094762398
整理番号:93A0614828
各種モル分率のAlxGa1-xAsの塩素ラジカルビームイオンビームエッチングに対する水素の影響
Effects of Hydrogen on Chloride Radical-Beam Ion-Beam Etching of AlxGa1-xAs with Varying Mole Fraction.
著者 (5件):
SKIDMORE J A
(Univ. California, California)
,
LISHAN D G
(Univ. California, California)
,
YOUNG D B
(Univ. California, California)
,
HU E L
(Univ. California, California)
,
COLDREN L A
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
140
号:
6
ページ:
1802-1804
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)