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文献
J-GLOBAL ID：200902100156540192
整理番号：97A0385126
自己整列浮遊ドットゲートを持つSi単電子メモリの室温動作
Room temperature operation of Si single-electron memory with self-aligned floating dot gate.
NAKAJIMA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
FUTATSUGI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KOSEMURA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
FUKANO T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOKOYAMA N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 13 ページ： 1742-1744 発行年： 1997年03月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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