文献
J-GLOBAL ID:200902100218440963
整理番号:93A0599382
Si(112)上のGa 成長と熱脱離のエネルギー論
Ga on Si(112): growth and energetics of thermal desorption.
著者 (3件):
JUNG T M
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
KAPLAN R
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
PROKES S M
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
289
号:
1/2
ページ:
L577-L583
発行年:
1993年05月20日
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)