文献
J-GLOBAL ID:200902100235915509
整理番号:01A0526625
p-Si/n+-ZnO/n-ZnO/Pdダイオード構造における光による電流の抑制
Suppression of Current by Light in p-Si-n+-ZnO-n-ZnO-Pd Diode Structures.
著者 (4件):
SLOBODCHIKOV S V
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SALIKHOV KH M
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
RUSSU E V
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MALININ YU G
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
35
号:
4
ページ:
464-467
発行年:
2001年04月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)