文献
J-GLOBAL ID:200902100316357101
整理番号:93A0282086
ポリシリコンからのひ素の外部拡散を利用して形成した浅い接合の接触抵抗に及ぼすけい化チタンの効果
The Impact of Titanium Silicide on the Contact Resistance for Shallow Junction Formed by Out-Diffusion of Arsenic from Polysilicon.
著者 (4件):
YANG W L
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, CHN)
,
LEI T F
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, CHN)
,
HUANG C T
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, CHN)
,
LEE C L
(National Chiao Tung Univ., Hsin Chu, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
1B
ページ:
399-403
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)