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文献
J-GLOBAL ID：200902100506869842
整理番号：96A0758987
LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析 I
A Solid-Liquid Diffusion Model for Growth and Dissolution of III-V Semiconductor Alloy Crystals by LPE. I.
木村雅和
(静岡大 電子工研)
,
QIN Z
(Univ. Victoria, Victoria, CAN)
,
DOST S
(Univ. Victoria, Victoria, CAN)
,
田中昭
(静岡大 電子工研)
,
助川徳三
(静岡大 電子工研)
資料名：
静岡大学電子工学研究所研究報告
(Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University)
巻： 30 号： 2 ページ： 105-118 発行年： 1995年
JST資料番号： S0453A ISSN： 0286-3383 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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